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　　目前，西瓜無土栽培主要是在溫室或塑料大棚等保護設施中進行，所以，其優(yōu)質豐產栽培技術除應分別與溫室、塑料大棚栽培基本相同外，還應抓好以下幾點：

　　1．調整營養(yǎng)液

　　營養(yǎng)液配方在使用過程中，要根據(jù)西瓜的不同生育期、季節(jié)、因營養(yǎng)不當而發(fā)生的異常表現(xiàn)等，酌情進行配方成分的調整。西瓜苗期以營養(yǎng)生長為中心，對氮素的需要量較大，而且比較嚴格。因此，應適當增加營養(yǎng)液中的氮量(氮:磷:鉀＝3.8:1:2.76)。結果期以生殖生長為中心，氮量應適當減少，磷鉀成分應適當增加(氮:磷:鉀＝3.48:1:4.6)。冬季日照較短，太陽光質也較弱，溫室無土栽培西瓜易發(fā)生徒長，營養(yǎng)液中應適當增加鉀素用量；在氮素使用方面，應以硝態(tài)氮為主，少用或不用銨態(tài)氮。而在日照較長的春季栽培時，可適當增加銨態(tài)氮用量。西瓜缺氮、缺鐵等元素，都會發(fā)生葉色失綠變黃現(xiàn)象。缺氮時往往是葉黃而形小，全株發(fā)育不良；如果缺鐵，則表現(xiàn)葉脈間失綠比較明顯。在西瓜無土栽培中，由于缺鐵而造成葉片變黃等，較為多見。其原因往往由于營養(yǎng)液的pH較高，而使鐵化物發(fā)生沉淀，不能為植株吸收而發(fā)生鐵素缺乏?？赏ㄟ^加入硫酸等使pH降低，并適量補鐵。

　　2．提高供液溫度

　　無土栽培中無論哪一種形式，營養(yǎng)液溫度都直接影響西瓜根系的生長和對水分、礦質營養(yǎng)的吸收。西瓜根系的生長適溫為18～23℃，如果營養(yǎng)液溫度長期高于28℃或低于13℃，均對根系生長不利。溫室西瓜無土栽培極易發(fā)生溫度過低的問題，可采取營養(yǎng)液加溫措施(如用電熱水器加溫等)，以使液溫符合根系要求。如果為砂礫盆栽或槽栽方法，可盡量把栽培容器設置在地面以上，溫室內保持適宜的溫度，以提高根系的溫度。

　　3．補充二氧化碳

　　二氧化碳是西瓜進行光合作用，制造營養(yǎng)物質的重要原料。也是決定產量及品質的重要因素。溫室內進行西瓜無土栽培，西瓜吸收二氧化碳速度很快，由于土壤中不施用有機肥料，因而二氧化碳含量較少。因此，二氧化碳不足是西瓜生產的重要限制因子。據(jù)試驗，施用二氧化碳可以促進西瓜坐果和果實膨大，具有明顯的增產作用?，F(xiàn)在在國外二氧化碳追肥已成為無土栽培中必不可缺少的一項措施。溫室內補充二氧化碳的具體方法有：第一，開窗通氣，上午10時以后，在不影n向室溫的前提下，開窗通氣，以大氣中的二氧化碳補充溫室內的不足；第二，碳酸銨加硫酸產生，方法詳見“大棚栽培”部分。第三，施用干冰或壓縮二氧化碳。國外一般用二氧化碳發(fā)生機和燃燒白煤油來產生二氧化碳。

　　4．其他管理

　　西瓜無土栽培如采用砂礫盆栽法，一般每天供液2～3次，上午和下午各1次，晴朗、高溫的中午增加一次，每次單株用液量0.5～1千克，苗期量小一些，后期量大一些。營養(yǎng)膜法和霧栽法兩次供液間隔時間一般不超過半小時。

　　西瓜伸蔓后，及時上架或吊蔓。采用雙蔓整枝法，即只保留主蔓和一個健壯側蔓，余者隨時打去。選擇發(fā)育良好的第三或第四雌花留果，開花后及時進行人工授粉。